MRAM存儲芯片是一種利用電子自旋存儲信息的內存技術。MRAM有望成為通用存儲器——既能達到存儲級內存的密度，又具備SRAM的速度，同時兼具非易失性和低功耗特性，擁有讀寫次數無限、寫入速度快、功耗低、面積小、泄露小、容量高、抗輻射性和邏輯芯片整合度高的特點。
 

相比MRAM存儲芯片，普通RAM（隨機存取存儲器）是電子設備常用的臨時存儲介質，屬于典型的易失性存儲器，斷電后存儲數據會全部丟失。市面上主流的RAM主要分為SRAM和DRAM兩類，各有適配場景與性能短板。其中SRAM讀寫速度極快，無需持續刷新數據，穩定性出眾，但制造成本偏高、存儲容量有限，多用于設備高速緩存場景。DRAM性價比更高、容量適配性強，是設備主存的主流選擇，但存在電荷泄漏問題，需要不間斷刷新維持數據，整體功耗與性能表現存在一定局限。
 

MRAM存儲芯片是新一代磁阻式非易失性存儲芯片，徹底打破了普通RAM電荷存儲的原理局限。MRAM存儲芯片核心依托自旋電子特性，通過鐵磁性與非磁性材料構建磁隧道結（MTJ）結構存儲數據。區別于傳統RAM，MRAM依靠磁矩極化狀態記錄信息，即便設備斷開電源，MTJ結構的磁化狀態也能穩定保持，實現斷電數據不丟失，同時規避了傳統存儲器電荷泄漏、頻繁刷新的痛點。

本文關鍵詞：MRAM
 

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